过压击穿 过流击穿 过热击穿的小科普
可控硅击穿的原因分析
1、过压击穿:
过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一,可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的,即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的,因此实际应用电路中,在可控硅两端一定要接入RC吸收回路,以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿,请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。
2、过流与过热击穿:
其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应,使芯片温度升高,当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下,只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的,因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的,而温度升高的过程是需要一定时间的,所以在短时间内过流(几百毫秒到几秒时间)一般是不会击穿的。
3、过热击穿
这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿,发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。对于采用水冷方式工作的,主要检查进水温度是否过高(一般要求水温应在25℃以下,但最高不能超过35℃),流量是否充足;对于采用风冷方式工作的,应检查风扇的转数是否正常,还有环境温度也不能太高等,但无论是风冷的还是水冷的,如果你在更换可控硅时只是更换了芯片的话,安装时要注意芯片与散热器之间的接触面一定要保证良好的接触,接触面要平整,不能有划痕或凹凸且不能有灰尘夹入,还要保证有足够且均匀的压力,特别是对水冷的可控硅,三个螺栓的拉力一定要均匀,并且还要经常检查和清理水垢,水垢太多也会影响散热效果导致过热击穿的。另外如果多次更换芯片也会导致散热器的接触面变形而影响散热效果,如果您的机器上的某只可控硅经常击穿又找不到其他原因的话,就应该考虑在更换可控硅时连同散热器一齐更换。
最后在说一点:通常检测大功率半导体器件需要有专业的检测设备高压阻断测试台,通态性能测试台,动态特性测试台等功率半导体专业设备。一般来说,用户或现场是没有专业半导体测试设备的,如确实对产品有疑虑,建议器件返回厂家进行专业测试,常用的万用表,兆欧表(摇表)等仪器对器件性能进行判断的这两种方法都不能对器件的好坏做出准确的判断。